Name: TP65H035G4WS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H035G4WS-ND
Price: 150.85 NOK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 46,5A (Tc) 156W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-3

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TP65H035G4WS
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H035G4WS-ND
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	TP65H035G4WS
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 46,5A (Tc) 156W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TP65H035G4WS Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4.8V ved 1mA
Produsent Renesas Electronics Corporation	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 22 nC @ 0 V
Serie SuperGaN™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Rør	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1500 pF @ 400 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 156W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C
Teknologi GaNFET (kaskode gallium-nitrid FET)	Monteringstype Gjennomgående hull
Drain til Source-spenning 650 V	Leverandørens enhetsforpakning TO-247-3
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 46,5A (Tc)	Kapsling TO-247-3
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer TP65H035
Rds på (maks) ved Id, Vgs 41mOhm ved 30A, 10V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 575

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 120,68000	kr 120,68
30	kr 72,52533	kr 2 175,76
120	kr 61,97575	kr 7 437,09
510	kr 54,96239	kr 28 030,82

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.