Enkle FET-er, MOSFET-er

Resultater : 45 313
Lageralternativer
Miljømessige alternativer
Media
Ekskludér
45 313Resultater

Viser
av 45 313
Produsentens delenummer
Antall tilgjengelig
Pris
Serie
Pakking
Produktstatus
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
Vgs(th) (maks) ved Id
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
Vgs (maks)
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
FET-egenskap
Effekttap (maks)
Driftstemperatur
Grad
Godkjenning
Monteringstype
Leverandørens enhetsforpakning
Kapsling
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
4 977
På lager
1 : kr 1,31000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,25690
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4.5Ohm ved 100mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
512 483
På lager
1 : kr 1,40000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,26928
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
3.9Ohm ved 100mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
1 147 780
På lager
1 : kr 1,50000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,28961
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1.5Ohm ved 100mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
98 053
På lager
1 : kr 1,59000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,30954
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
1,08W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
13 861
På lager
1 : kr 1,59000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,30954
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
310mA (Ta)
5V, 10V
3Ohm ved 115mA, 10V
2V ved 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
87 750
På lager
1 : kr 1,87000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,33991
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm ved 50mA, 5V
2.5V ved 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBT2222AWT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
83 345
På lager
1 : kr 1,87000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,35575
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
310mA (Ta)
4,5V, 10V
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW (Tj)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SC-70-3 (SOT323)
SC-70, SOT-323
79 487
På lager
1 : kr 1,87000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,36748
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
1.5Ohm ved 100mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C
-
-
Overflatemontering
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
354 467
På lager
1 : kr 1,96000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,37141
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
50 V
200mA (Ta)
10V
3.5Ohm ved 220mA, 10V
1.5V ved 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
218 698
På lager
1 : kr 1,96000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,36620
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.3V ved 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
108 782
På lager
1 : kr 1,96000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,39741
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
180mA (Ta)
5V, 10V
6Ohm ved 115mA, 5V
2V ved 250µA
-
±20V
23 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTC114YEBTL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 012 248
På lager
1 : kr 2,06000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,40480
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1.2Ohm ved 100mA, 2.5V
1V ved 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
BCV27
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
244 444
På lager
1 : kr 2,06000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,38862
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
25 V
220mA (Ta)
2,7V, 4,5V
4Ohm ved 400mA, 4.5V
1.06V ved 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C – 155°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
87 271
På lager
1 : kr 2,06000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,39033
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2.5Ohm ved 240mA, 10V
2.5V ved 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
56 614
På lager
1 : kr 2,06000
Båndavsnitt (CT)
8 000 : kr 0,34567
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
20 V
250mA (Ta)
1,2V, 4,5V
1.1Ohm ved 150mA, 4.5V
1V ved 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
VESM
SOT-723
31 149
På lager
1 : kr 2,06000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,40480
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
20 V
200mA (Ta)
1,5V, 4,5V
2.2Ohm ved 100mA, 4.5V
1V ved 1mA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW (Ta)
150°C (TA)
-
-
Overflatemontering
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
10 206
På lager
1 : kr 2,06000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,42130
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2.8Ohm ved 250mA, 10V
1.5V ved 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
7 139
På lager
1 : kr 2,06000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,40664
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
320mA (Ta)
10V
1.6Ohm ved 300mA, 10V
1.5V ved 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C – 150°C (TA)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
SOT-323
SC-70, SOT-323
DTA124EUBHZGTL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
290 621
På lager
1 : kr 2,15000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,44129
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2.2Ohm ved 200mA, 4.5V
800mV ved 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
UMT3F
SC-85
SOT-23-3
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
255 190
På lager
1 : kr 2,15000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,40225
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (metalloksid)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm ved 100mA, 5V
2V ved 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3 818
På lager
1 : kr 2,15000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,34968
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1.5Ohm ved 100mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
CST3
SC-101, SOT-883
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
645 782
På lager
1 : kr 2,25000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,43253
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7.5Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-523
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodes Incorporated
178 168
På lager
1 : kr 2,25000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,42754
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm ved 50mA, 5V
2V ved 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
98 641
På lager
1 : kr 2,25000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,45925
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm ved 170mA, 10V
2V ved 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
28 555
På lager
1 : kr 2,25000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,44849
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Viser
av 45 313

Enkelt FET, MOSFET-er


Enkle felteffekttransistorer (FET-er) og metalloksidhalvleder-felteffekttransistorer (MOSFET-er) er transistor-typer som brukes til å forsterke eller veksle elektroniske signaler.

En enkelt FET fungerer ved å styre den elektriske strømflyten mellom source- og drain-terminalene gjennom et elektrisk felt generert av en spenning som påføres gate-terminalen. Hovedfordelen med FET-er er deres høye inngangsimpedans, noe som gjør dem ideelle for bruk innen signalforsterkning og i analoge kretser. De brukes ofte i utrustninger som forsterkere, oscillatorer og buffer-trinn i elektroniske kretser.

MOSFET-er, en undertype av FET-er, har en gate-terminal isolert fra kanalen med et tynt oksidlag, noe som forbedrer ytelsen og gjør dem svært effektive. MOSFET-er kan videre kategoriseres i to typer:

MOSFET-er er foretrukket i mange utrustninger takket være deres lave strømforbruk, høyhastighets veksling og evne til å håndtere store strømmer og spenninger. De er avgjørende i digitale og analoge kretser, inkludert strømforsyninger, motordrivere og radiofrekvensutrustninger.

Driften av MOSFET-er kan deles inn i to moduser:

  • Anrikningsmodus: I denne modusen er MOSFET-en vanligvis av når gate-source-spenningen er null. Den krever en positiv gate-source-spenning (for n-kanal) eller en negativ gate-source-spenning (for p-kanal) for å slå seg på.
  • Utarmingsmodus: I denne modusen er MOSFET-en vanligvis på når gate-source-spenningen er null. Å bruke en gate-source-spenning med motsatt polaritet kan slå den av.

MOSFET-er tilbyr flere fordeler, for eksempel:

  1. Høy virkningsgrad: De bruker svært lite strøm og kan raskt bytte tilstand, noe som gjør dem svært effektive for strømstyringsutrustninger.
  2. Lav motstand: De har lav motstand når de er slått på, noe som minimerer strømtap og varmeutvikling.
  3. Høy inngangsimpedans: Den isolerte gate-strukturen resulterer i ekstremt høy inngangsimpedans, noe som gjør dem ideelle for signalforsterkning med høy impedans.

For å oppsummere er enkelte FET-er, spesielt MOSFET-er, grunnleggende komponenter i moderne elektronikk. De er kjent for sin virkningsgrad, hastighet og allsidighet i et bredt spekter av utrustninger, fra signalforsterkning med lav effekt til veksling og styring med høy effekt.