Enkle FET-er, MOSFET-er

Resultater : 42 014
Produsent
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCoherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLCEVVO
Serie
-*2N7002K4485650AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101
Emballasje
BoksBrettBulkBåndavsnitt (CT)Digi-Reel®PoseRemseRørTape og boks (TB)Tape og spole (TR)
Produktstatus
AktivIkke for nye utførelserIkke lenger tilgjengelig hos Digi-KeySiste kjøpstidspunktUtdatert
FET-type
-N-kanalP-kanal
Teknologi
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (kaskode gallium-nitrid FET)MOSFET (metalloksid)SiC (silisiumkarbidforbindelse-transistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
150µA (Ta)520µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
0V0V, 10V0V, 18V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
0,29mOhm ved 50A, 10V0,3mOhm ved 200A, 10V0,35mOhm ved 50A, 10V0,36mOhm ved 100A, 10V0,39mOhm ved 100A, 10V0,4mOhm ved 30A, 10V0.4mOhm ved 150A, 10V0.4mOhm ved 50A, 10V0.42mOhm ved 50A, 10V0,44mOhm ved 88A, 10V0,45mOhm ved 30A, 10V0,45mOhm ved 30A, 7V
Vgs(th) (maks) ved Id
300mV @ 250µA400mV ved 1mA (min)400mV ved 250µA400mV ved 250µA (min)450mV ved 100µA (min)450mV ved 1mA (min)450mV ved 250µA (min)450mV ved 2mA (min)500mV ved 250µA (min)570mV ved 1mA (typ)600mV ved 1.2mA (min)600mV ved 1mA (min)
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (maks)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V
FET-egenskap
-Schottky-diode (hoveddel)Schottky-diode (isolert)StrømavsøkingTemperaturavsøkingsdiodeUtarmingsmodus
Effekttap (maks)
400µW400µW (Ta)500µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)
Driftstemperatur
-65°C – 150°C (TJ)-65°C – 175°C (TJ)-60°C – 175°C (TJ)-55°C – 100°C-55°C – 110°C (TA)-55°C – 125°C-55°C – 125°C (TA)-55°C – 125°C (TJ)-55°C – 135°C (TJ)-55°C – 150°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-BilteknikkMilitærteknikk
Godkjenning
-11,811" L x 8,465" B x 3,740" H (300,00mm x 215,00mm x 95,00mm)AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595
Monteringstype
-ChassismonteringGjennomgående hullOverflatemonteringOverflatemontering, Fuktbar side
Leverandørens enhetsforpakning
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Kapsling
2-DFN-eksponert plate3-DFN-eksponert plate3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flate ledninger3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, flate ledninger3-SMD, ikke standard3-SMD, ingen ledning
Lageralternativer
Miljømessige alternativer
Media
Markedsplass-produkt
42 014Resultater
Viser
av 42 014
Produsentens delenummer
Antall tilgjengelig
Pris
Serie
Pakking
Produktstatus
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
Vgs(th) (maks) ved Id
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
Vgs (maks)
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
FET-egenskap
Effekttap (maks)
Driftstemperatur
Grad
Godkjenning
Monteringstype
Leverandørens enhetsforpakning
Kapsling
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
106 052
På lager
1 : kr 1,05000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,25379
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4.5Ohm ved 100mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
83 791
På lager
1 : kr 1,05000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,25228
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
354 665
På lager
1 : kr 1,16000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,30037
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm ved 50mA, 5V
2.5V ved 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
199 346
På lager
19 674 000
Fabrikk
1 : kr 1,26000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,34041
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
50 V
200mA (Ta)
10V
3.5Ohm ved 220mA, 10V
1.5V ved 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 217 887
På lager
1 : kr 1,37000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,30947
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1.2Ohm ved 100mA, 2.5V
1V ved 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
407 320
På lager
55 965 000
Fabrikk
1 : kr 1,37000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,34899
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
84 145
På lager
1 : kr 1,37000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,34899
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.3V ved 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
618 076
På lager
1 : kr 1,47000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,29904
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (metalloksid)
50 V
180mA (Ta)
10V
7.5Ohm ved 100mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
413 151
På lager
51 885 000
Fabrikk
1 : kr 1,47000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,38444
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (metalloksid)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm ved 100mA, 5V
2V ved 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
389 592
På lager
1 068 000
Fabrikk
1 : kr 1,47000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,37608
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2.8Ohm ved 250mA, 10V
1.5V ved 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
343 260
På lager
1 : kr 1,47000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,37272
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2.5Ohm ved 240mA, 10V
2.5V ved 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
296 057
På lager
1 : kr 1,47000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,39617
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.4V ved 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
49 440
På lager
1 : kr 1,47000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,31833
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1.5Ohm ved 100mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
CST3
SC-101, SOT-883
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
24 656
På lager
1 : kr 1,47000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,33400
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2.8Ohm ved 200mA, 10V
2.1V ved 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-883
SC-101, SOT-883
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
815 957
På lager
1 : kr 1,58000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,40303
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm ved 300mA, 10V
1.5V ved 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C – 150°C (TA)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
505 022
På lager
1 : kr 1,58000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,40663
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2.2Ohm ved 200mA, 4.5V
800mV ved 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
431 447
På lager
1 : kr 1,58000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,41430
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7.5Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
190 573
På lager
1 : kr 1,58000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,40107
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
103 596
På lager
1 : kr 1,58000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,41097
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm ved 170mA, 10V
2V ved 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
13 899
På lager
1 : kr 1,58000
Båndavsnitt (CT)
8 000 : kr 0,37219
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3.6Ohm ved 10mA, 4V
1.5V ved 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
VESM
SOT-723
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
854 390
På lager
1 : kr 1,68000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,44566
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
320mA (Ta)
10V
1.6Ohm ved 300mA, 10V
1.5V ved 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C – 150°C (TA)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
777 038
På lager
1 : kr 1,68000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,35651
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
767 420
På lager
1 : kr 1,68000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,42861
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
350mA (Ta)
10V
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
554 112
På lager
1 : kr 1,68000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,45497
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
50 V
200mA (Ta)
10V
3.5Ohm ved 220mA, 10V
1.5V ved 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-323
SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
512 784
På lager
1 : kr 1,68000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,44548
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
300mA (Tc)
10V
5Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW (Ta)
-65°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Viser
av 42 014

Enkle FET-er, MOSFET-er

Diskrete felteffekttransisorer (FET-er) blir mye brukt i kraftkonvertering, motorstyring, halvleder (solid-state)-belysning og andre bruksområder der det er fordelaktig med deres karakteristiske evne til å bli slått på og av ved høye frekvenser, mens de fører store mengder strøm. De brukes nesten universelt for konstruksjoner som krever spenningsområder på noen hundre volt eller mindre, over disse spenningene blir enhetstyper som IGBT-er mer konkurransedyktige.