Enkle FET-er, MOSFET-er

Resultater : 41 358
Produsent
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCODIXX AGCoherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC
Serie
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSS
Emballasje
BoksBrettBulkBåndavsnitt (CT)Digi-Reel®PoseRemseRørTape og boks (TB)Tape og spole (TR)
Produktstatus
AktivIkke for nye utførelserIkke lenger tilgjengelig hos Digi-KeySiste kjøpstidspunktUtdatert
FET-type
-N-kanalP-kanal
Teknologi
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (kaskode gallium-nitrid FET)MOSFET (metalloksid)SiC (silisiumkarbidforbindelse-transistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
0,29mOhm ved 50A, 10V0,3mOhm ved 200A, 10V0,35mOhm ved 50A, 10V0,39mOhm ved 100A, 10V0,4mOhm ved 30A, 10V0.4mOhm ved 150A, 10V0.4mOhm ved 50A, 10V0.42mOhm ved 50A, 10V0,44mOhm ved 88A, 10V0,45mOhm ved 30A, 10V0,45mOhm ved 30A, 7V0.45mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
400mV ved 1mA (min)400mV ved 250µA400mV ved 250µA (min)450mV ved 100µA (min)450mV ved 1mA (min)450mV ved 250µA (min)450mV ved 2mA (min)500mV ved 250µA (min)570mV ved 1mA (typ)600mV ved 1.2mA (min)600mV ved 1mA (min)600mV ved 1mA (typ)
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (maks)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
FET-egenskap
-Schottky-diode (hoveddel)Schottky-diode (isolert)StrømavsøkingTemperaturavsøkingsdiodeUtarmingsmodus
Effekttap (maks)
400µW400µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)155mW (Ta)
Driftstemperatur
-65°C – 150°C (TJ)-65°C – 175°C (TJ)-60°C – 175°C (TJ)-55°C – 100°C-55°C – 110°C (TA)-55°C – 125°C-55°C – 125°C (TA)-55°C – 125°C (TJ)-55°C – 135°C (TJ)-55°C – 150°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-BilteknikkMilitærteknikk
Godkjenning
-11,811" L x 8,465" B x 3,740" H (300,00mm x 215,00mm x 95,00mm)AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595
Monteringstype
-ChassismonteringGjennomgående hullOverflatemonteringOverflatemontering, Fuktbar side
Leverandørens enhetsforpakning
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Kapsling
2-DFN eksponert plate3-DFN eksponert plate3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flate ledninger3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, flate ledninger3-SMD, ikke standard3-SMD, ingen ledning
Lageralternativer
Miljømessige alternativer
Media
Markedsplass-produkt
41 358Resultater

Viser
av 41 358
Sammenligne
Produsentens delenummer
Antall tilgjengelig
Pris
Serie
Pakking
Produktstatus
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
Vgs(th) (maks) ved Id
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
Vgs (maks)
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
FET-egenskap
Effekttap (maks)
Driftstemperatur
Grad
Godkjenning
Monteringstype
Leverandørens enhetsforpakning
Kapsling
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
65 296
På lager
1 : kr 1,59000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,27053
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4.5Ohm ved 100mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
116 831
På lager
1 : kr 1,80000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,31863
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
501 900
På lager
1 : kr 2,01000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,33983
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4.5Ohm ved 100mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
408 228
På lager
1 : kr 2,01000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,34784
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7.5Ohm ved 50mA, 5V
2.5V ved 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
216 550
På lager
1 : kr 2,12000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,36205
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
50 V
200mA (Ta)
10V
3.5Ohm ved 220mA, 10V
1.5V ved 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
192 866
På lager
58 071 000
Fabrikk
1 : kr 2,22000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,37351
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm ved 500mA, 10V
2.5V ved 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
250 243
På lager
1 : kr 2,33000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,38494
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.3V ved 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 401 934
På lager
1 : kr 2,43000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,25180
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1.2Ohm ved 100mA, 2.5V
1V ved 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
440 350
På lager
1 : kr 2,43000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,41798
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2.5Ohm ved 240mA, 10V
2.5V ved 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
420 252
På lager
1 : kr 2,43000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,41015
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2.8Ohm ved 250mA, 10V
1.5V ved 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
30 527
På lager
1 : kr 2,43000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,31727
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1.5Ohm ved 100mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
CST3
SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 183 375
På lager
1 : kr 2,54000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,24334
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.4V ved 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
839 205
På lager
1 : kr 2,54000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,43057
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm ved 300mA, 10V
1.5V ved 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C – 150°C (TA)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
434 026
På lager
1 : kr 2,54000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,42140
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
360mA (Ta)
10V
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.4V ved 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
433 745
På lager
6 990 000
Fabrikk
1 : kr 2,54000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,42161
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
P-kanal
MOSFET (metalloksid)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm ved 100mA, 5V
2V ved 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
88 090
På lager
1 : kr 2,54000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,42271
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2.5Ohm ved 240mA, 10V
2.6V ved 250µA
0.81 nC @ 5 V
±30V
40 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
56 286
På lager
1 : kr 2,54000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,32415
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2.8Ohm ved 200mA, 10V
2.1V ved 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-883
SC-101, SOT-883
4 630 342
På lager
1 : kr 2,65000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,47966
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
20 V
800mA (Ta)
1,5V, 4,5V
235mOhm ved 800mA, 4.5V
1V ved 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SSM
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
757 847
På lager
1 : kr 2,65000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,79350
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
20 V
6,5A (Ta)
1,8V, 4,5V
22mOhm ved 6.5A, 4.5V
1V ved 250µA
16 nC @ 4.5 V
±8V
1160 pF @ 10 V
-
1,4W (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
3-SMD, SOT-23-3Variant
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
637 025
På lager
1 : kr 2,65000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,44870
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2.2Ohm ved 200mA, 4.5V
800mV ved 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
UMT3F
SC-85
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
424 772
På lager
1 : kr 2,65000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,79350
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
20 V
1,05A (Ta)
1,8V, 4,5V
200mOhm ved 600mA, 4.5V
570mV ved 1mA (typ)
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
794 997
På lager
1 : kr 2,75000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,46492
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
350mA (Ta)
10V
1.6Ohm ved 500mA, 10V
2.1V ved 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMG6968U-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Diodes Incorporated
501 896
På lager
1 : kr 2,75000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,73954
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelser
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
20 V
6,5A (Ta)
1,8V, 4,5V
25mOhm ved 6.5A, 4.5V
900mV ved 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
151 pF @ 10 V
-
1,3W (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
155 730
På lager
12 483 000
Fabrikk
1 : kr 2,75000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,45829
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm ved 170mA, 10V
2V ved 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Overflatemontering
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
915 015
På lager
1 : kr 2,86000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,48806
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
N-kanal
MOSFET (metalloksid)
60 V
320mA (Ta)
10V
1.6Ohm ved 300mA, 10V
1.5V ved 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C – 150°C (TA)
Bilteknikk
AEC-Q101
Overflatemontering
SOT-323
SC-70, SOT-323
Viser
av 41 358

Enkle FET-er, MOSFET-er


Diskrete felteffekttransisorer (FET-er) blir mye brukt i kraftkonvertering, motorstyring, halvleder (solid-state)-belysning og andre bruksområder der det er fordelaktig med deres karakteristiske evne til å bli slått på og av ved høye frekvenser, mens de fører store mengder strøm. De brukes nesten universelt for konstruksjoner som krever spenningsområder på noen hundre volt eller mindre, over disse spenningene blir enhetstyper som IGBT-er mer konkurransedyktige.