Enkle FET-er, MOSFET-er

Resultater : 41 281
Produsent
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCharter Engineering Inc.Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEPC Space, LLC
Serie
-*AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSSC2M™
Emballasje
BoksBrettBulkBåndavsnitt (CT)Digi-Reel®PoseRemseRørTape og boks (TB)Tape og spole (TR)
Produktstatus
AktivIkke for nye utførelserIkke lenger tilgjengelig hos Digi-KeySiste kjøpstidspunktUtdatert
FET-type
-N-kanalP-kanal
Teknologi
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (kaskode gallium-nitrid FET)MOSFET (metalloksid)SiC (silisiumkarbidforbindelse-transistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
-60 V-30 V-20 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
0,29mOhm ved 50A, 10V0,3mOhm ved 200A, 10V0,35mOhm ved 50A, 10V0,4mOhm ved 30A, 10V0.4mOhm ved 150A, 10V0.4mOhm ved 50A, 10V0.42mOhm ved 50A, 10V0,44mOhm ved 88A, 10V0,45mOhm ved 30A, 10V0,45mOhm ved 30A, 7V0.45mOhm ved 50A, 10V0.45mOhm ved 60A, 4.5V
Vgs(th) (maks) ved Id
-1V @ -250µA0.4V @ 250µA400mV ved 1mA (min)400mV ved 250µA (min)450mV ved 100µA (min)450mV ved 1mA (min)450mV ved 250µA (min)450mV ved 2mA (min)500mV ved 250µA (min)570mV ved 1mA (typ)600mV ved 1.2mA (min)600mV ved 1mA (min)
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (maks)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V
FET-egenskap
-Schottky-diode (hoveddel)Schottky-diode (isolert)StrømavsøkingTemperaturavsøkingsdiodeUtarmingsmodus
Effekttap (maks)
400µW (Ta)400µW100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Driftstemperatur
-65°C – 150°C (TJ)-65°C – 175°C (TJ)-60°C – 175°C (TJ)-55°C – 100°C-55°C – 110°C (TA)-55°C – 125°C (TA)-55°C – 125°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 135°C (TJ)-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 150°C
Grad
-BilteknikkMilitærteknikk
Godkjenning
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Monteringstype
-ChassismonteringGjennomgående hullOverflatemonteringOverflatemontering, Fuktbar side
Leverandørens enhetsforpakning
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Kapsling
2-DFN eksponert plate3-DFN eksponert plate3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flate ledninger3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3Variant3-SMD, flat ledning3-SMD, flate ledninger
Lageralternativer
Miljømessige alternativer
Media
Markedsplass-produkt
41 281Resultater

Viser
av 41 281
Sammenligne
Produsentens delenummer
Antall tilgjengelig
Pris
Serie
Pakking
Produktstatus
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
Vgs(th) (maks) ved Id
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
Vgs (maks)
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
FET-egenskap
Effekttap (maks)
Driftstemperatur
Grad
Godkjenning
Monteringstype
Leverandørens enhetsforpakning
Kapsling
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
32 888
På lager
1 : kr 1,83000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,31590
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4.5Ohm ved 100mA, 10V2.1V ved 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
547 621
På lager
1 : kr 2,15000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,36357
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V115mA (Ta)5V, 10V7.5Ohm ved 50mA, 5V2.5V ved 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
75 994
På lager
1 : kr 2,25000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,37841
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)50 V200mA (Ta)10V3.5Ohm ved 220mA, 10V1.5V ved 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
0
På lager
Kontroller leveringstid
1 : kr 2,36000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,39039
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V320mA (Ta)4,5V, 10V1.6Ohm ved 500mA, 10V2.3V ved 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 496 128
På lager
1 : kr 2,47000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,40717
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1.2Ohm ved 100mA, 2.5V1V ved 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OverflatemonteringEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
701 971
På lager
1 : kr 2,47000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,40956
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-kanalMOSFET (metalloksid)50 V180mA (Ta)10V7.5Ohm ved 100mA, 10V2.1V ved 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C – 150°C (TJ)BilteknikkAEC-Q101OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
497 662
På lager
1 : kr 2,47000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,42391
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2.5Ohm ved 240mA, 10V2.5V ved 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 206 037
På lager
1 : kr 2,58000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,33899
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelserN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm ved 500mA, 10V2.4V ved 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)BilteknikkAEC-Q101OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
679 977
På lager
1 : kr 2,58000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,44043
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelserN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm ved 500mA, 10V2.4V ved 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)BilteknikkAEC-Q101OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
480 527
På lager
1 : kr 2,58000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,44068
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-kanalMOSFET (metalloksid)50 V130mA (Ta)5V10Ohm ved 100mA, 5V2V ved 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
61 595
På lager
1 : kr 2,58000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,33162
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V400mA (Ta)4,5V, 10V1.5Ohm ved 100mA, 10V2.1V ved 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringCST3SC-101, SOT-883
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
45 689
På lager
1 : kr 2,58000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,42870
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2.5Ohm ved 240mA, 10V2.6V ved 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4 907 042
På lager
1 : kr 2,68000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,48646
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)20 V800mA (Ta)1,5V, 4,5V235mOhm ved 800mA, 4.5V1V ved 1mA1 nC @ 4.5 V±8V55 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OverflatemonteringSSMSC-75, SOT-416
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
852 512
På lager
1 : kr 2,68000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,45002
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V360mA (Ta)10V1.6Ohm ved 300mA, 10V1.5V ved 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C – 150°C (TA)BilteknikkAEC-Q101OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
836 454
På lager
1 : kr 2,68000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,45506
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2.2Ohm ved 200mA, 4.5V800mV ved 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OverflatemonteringUMT3FSC-85
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
793 871
På lager
1 : kr 2,68000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,80475
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelserN-kanalMOSFET (metalloksid)20 V6,5A (Ta)1,8V, 4,5V22mOhm ved 6.5A, 4.5V1V ved 250µA16 nC @ 4.5 V±8V1160 pF @ 10 V-1,4W (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-23-33-SMD, SOT-23-3Variant
TO-236AB
NX3008PBK,215
MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
143 857
På lager
1 : kr 2,79000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,47781
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivP-kanalMOSFET (metalloksid)30 V230mA (Ta)2,5V, 4,5V4.1Ohm ved 200mA, 4.5V1.1V ved 250µA0.72 nC @ 4.5 V±8V46 pF @ 15 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C – 150°C (TJ)BilteknikkAEC-Q101OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
61 038
På lager
1 : kr 2,79000
Båndavsnitt (CT)
10 000 : kr 0,36479
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V350mA (Ta)5V, 10V2.8Ohm ved 200mA, 10V2.1V ved 250µA1 nC @ 10 V±20V23.6 pF @ 10 V-350mW (Ta), 3,1W (Tc)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-883SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
841 997
På lager
1 : kr 2,90000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,48596
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V350mA (Ta)10V1.6Ohm ved 500mA, 10V2.1V ved 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)BilteknikkAEC-Q101OverflatemonteringTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
733 975
På lager
Dette produktet har en maksgrense for kjøp
1 : kr 2,90000
Båndavsnitt (CT)
8 000 : kr 0,45291
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)20 V100mA (Ta)1,2V, 4,5V3.5Ohm ved 100mA, 4.5V1V ved 100µA-±8V7.1 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--OverflatemonteringVMT3SOT-723
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
262 365
På lager
1 : kr 2,90000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,47902
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)100 V170mA (Ta)10V6Ohm ved 170mA, 10V2V ved 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
121 783
På lager
1 : kr 2,90000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,48382
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V115mA (Tc)5V, 10V7.5Ohm ved 500mA, 10V2.5V ved 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3421E
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1 127 236
På lager
1 : kr 3,00000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,65457
Tape og spole (TR)
-
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Ikke for nye utførelserP-kanalMOSFET (metalloksid)30 V3A (Ta)4,5V, 10V95mOhm ved 3A, 10V2.5V ved 250µA8 nC @ 10 V±20V215 pF @ 15 V-1,4W (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-23-33-SMD, SOT-23-3Variant
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
980 897
På lager
1 : kr 3,00000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,51014
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V320mA (Ta)10V1.6Ohm ved 300mA, 10V1.5V ved 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C – 150°C (TA)BilteknikkAEC-Q101OverflatemonteringSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
859 573
På lager
1 : kr 3,00000
Båndavsnitt (CT)
3 000 : kr 0,51014
Tape og spole (TR)
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-kanalMOSFET (metalloksid)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2Ohm ved 500mA, 10V2.5V ved 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C – 150°C (TJ)--OverflatemonteringSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Viser
av 41 281

Enkle FET-er, MOSFET-er


Diskrete felteffekttransisorer (FET-er) blir mye brukt i kraftkonvertering, motorstyring, halvleder (solid-state)-belysning og andre bruksområder der det er fordelaktig med deres karakteristiske evne til å bli slått på og av ved høye frekvenser, mens de fører store mengder strøm. De brukes nesten universelt for konstruksjoner som krever spenningsområder på noen hundre volt eller mindre, over disse spenningene blir enhetstyper som IGBT-er mer konkurransedyktige.