Name: TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H050G4YS-ND
Price: 200.6375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TP65H050G4YS
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H050G4YS-ND
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	TP65H050G4YS
Beskrivelse	650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 35A (Tc) 132W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Serie	SuperGaN®
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	35A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	60mOhm ved 22A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4.8V ved 700µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	24 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1000 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	132W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-247-4L
Kapsling	TO-247-4

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 268

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 160,51000	kr 160,51
10	kr 113,43600	kr 1 134,36
450	kr 85,05647	kr 38 275,41

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.