Name: TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H050G4YS-ND
Price: 122.2 NOK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 35A (Tc) 132W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TP65H050G4YS
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H050G4YS-ND
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	TP65H050G4YS
Beskrivelse	650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 35A (Tc) 132W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4L
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 60mOhm ved 22A, 10V
Produsent Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (maks) ved Id 4.8V ved 700µA
Serie SuperGaN®	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 24 nC @ 10 V
Emballasje Rør	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1000 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 132W (Tc)
Teknologi GaNFET (Galliumnitrid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 650 V	Monteringstype Gjennomgående hull
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 35A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning TO-247-4L
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling TO-247-4

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 1 276

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 97,76000	kr 97,76
30	kr 57,74100	kr 1 732,23
120	kr 48,95008	kr 5 874,01
510	kr 42,51176	kr 21 681,00
1 020	kr 41,74803	kr 42 582,99

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.