Name: TP65H150G4PS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H150G4PS-ND
Price: 65.6 NOK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 16A (Tc) 83W (Tc) Gjennomgående hull TO-220AB

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TP65H150G4PS
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H150G4PS-ND
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	TP65H150G4PS
Beskrivelse	GAN FET N-CH 650V TO-220
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 16A (Tc) 83W (Tc) Gjennomgående hull TO-220AB
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 180mOhm ved 8.5A, 10V
Produsent Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (maks) ved Id 4.8V ved 500µA
Serie SuperGaN®	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 8 nC @ 10 V
Emballasje Rør	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 598 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 83W (Tc)
Teknologi GaNFET (Galliumnitrid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 650 V	Monteringstype Gjennomgående hull
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 16A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning TO-220AB
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling TO-220-3

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 1 183

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 52,48000	kr 52,48
50	kr 27,39600	kr 1 369,80
100	kr 24,96840	kr 2 496,84
500	kr 20,71676	kr 10 358,38
1 000	kr 19,35172	kr 19 351,72
2 000	kr 18,26833	kr 36 536,66

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.