Name: TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070G4PS-ND
Price: 98.4625 NOK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 29A (Tc) 96W (Tc) Gjennomgående hull TO-220AB

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TP65H070G4PS
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H070G4PS-ND
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	TP65H070G4PS
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 29A TO220
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 29A (Tc) 96W (Tc) Gjennomgående hull TO-220AB
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 85mOhm ved 18A, 10V
Produsent Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (maks) ved Id 4,7V ved 700µA
Serie SuperGaN®	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 9 nC @ 10 V
Emballasje Rør	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 638 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 96W (Tc)
Teknologi GaNFET (Galliumnitrid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 650 V	Monteringstype Gjennomgående hull
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 29A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning TO-220AB
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling TO-220-3

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 1 109

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 78,77000	kr 78,77
50	kr 42,67140	kr 2 133,57
100	kr 39,19590	kr 3 919,59
500	kr 33,11178	kr 16 555,89
1 000	kr 31,35663	kr 31 356,63

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.