Name: TP65H030G4PWS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PWS-ND
Price: 132.375 NOK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-3

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TP65H030G4PWS
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H030G4PWS-ND
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	TP65H030G4PWS
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 55.7A TO247-3
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4.8V ved 1mA
Produsent Renesas Electronics Corporation	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 24.5 nC @ 12 V
Serie SuperGaN®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Rør	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1500 pF @ 400 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 192W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -40°C – 150°C (TJ)
Teknologi GaNFET (kaskode gallium-nitrid FET)	Monteringstype Gjennomgående hull
Drain til Source-spenning 650 V	Leverandørens enhetsforpakning TO-247-3
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 55,7A (Tc)	Kapsling TO-247-3
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 12V	Baseproduktnummer TP65H030
Rds på (maks) ved Id, Vgs 41mOhm ved 30A, 12V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 1 763

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 105,90000	kr 105,90
30	kr 62,93633	kr 1 888,09
120	kr 53,51467	kr 6 421,76
510	kr 46,61655	kr 23 774,44
1 020	kr 46,33331	kr 47 259,98

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.