Name: TP65H050G4WS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H050G4WS-ND
Price: 133.3125 NOK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-3

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TP65H050G4WS
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H050G4WS-ND
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	TP65H050G4WS
Beskrivelse	650 V 34 A GAN FET
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4.8V ved 700µA
Produsent Renesas Electronics Corporation	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 24 nC @ 10 V
Serie SuperGaN®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Rør	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1000 pF @ 400 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 119W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi GaNFET (Galliumnitrid)	Monteringstype Gjennomgående hull
Drain til Source-spenning 650 V	Leverandørens enhetsforpakning TO-247-3
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 34A (Tc)	Kapsling TO-247-3
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer TP65H050
Rds på (maks) ved Id, Vgs 60mOhm ved 22A, 10V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 427

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 106,65000	kr 106,65
30	kr 63,43200	kr 1 902,96
120	kr 53,95358	kr 6 474,43
510	kr 47,01149	kr 23 975,86
1 020	kr 46,77650	kr 47 712,03

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.