Name: TP65H050G4BS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H050G4BS-ND
Price: 179.85 NOK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Overflatemontering TO-263

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TP65H050G4BS
DigiKeys produktnummer	1707-TP65H050G4BS-ND
Produsent	Renesas Electronics Corporation
Produsentens produktnummer	TP65H050G4BS
Beskrivelse	650 V 34 A GAN FET
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Overflatemontering TO-263
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4.8V ved 700µA
Produsent Renesas Electronics Corporation	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 24 nC @ 10 V
Serie SuperGaN®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Rør	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1000 pF @ 400 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 119W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi GaNFET (Galliumnitrid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 650 V	Leverandørens enhetsforpakning TO-263
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 34A (Tc)	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer TP65H050
Rds på (maks) ved Id, Vgs 60mOhm ved 22A, 10V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 213

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 143,88000	kr 143,88
50	kr 82,80940	kr 4 140,47
100	kr 76,93800	kr 7 693,80
500	kr 69,11228	kr 34 556,14

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.