NP80N06PLG-E1B-AY er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 2 123
Enhetspris : kr 26,53000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 2 946
Enhetspris : kr 20,20000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 0
Enhetspris : kr 18,39000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 266
Enhetspris : kr 21,51000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 2 279
Enhetspris : kr 24,12000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 11 662
Enhetspris : kr 20,50000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 160
Enhetspris : kr 24,12000
Datablad
N-kanal 60 V 80A (Tc) 1,8W (Ta), 115W (Tc) Overflatemontering TO-263
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

NP80N06PLG-E1B-AY

DigiKeys produktnummer
NP80N06PLG-E1B-AYTR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Produsentens produktnummer
NP80N06PLG-E1B-AY
Beskrivelse
MOSFET N-CH 60V 80A TO263
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 60 V 80A (Tc) 1,8W (Ta), 115W (Tc) Overflatemontering TO-263
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
NP80N06PLG-E1B-AY Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
-
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
8.3mOhm ved 40A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
2.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
128 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
6900 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
1,8W (Ta), 115W (Tc)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Grad
Bilteknikk
Godkjenning
AEC-Q101
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-263
Kapsling
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.