Name: IPB081N06L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB081N06L3GATMA1TR-ND
Price: 29.35 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB081N06L3GATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB081N06L3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPB081N06L3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPB081N06L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB081N06L3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Produsentens standard leveringstid	17 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB081N06L3GATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2.2V ved 34µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 29 nC @ 4.5 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 4900 pF @ 30 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 79W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 60 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-3
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 50A (Tc)	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer IPB081
Rds på (maks) ved Id, Vgs 8.1mOhm ved 50A, 10V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 5 302

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)