Name: IPB090N06N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB090N06N3GATMA1TR-ND
Price: 22.9875 NOK
Availability: OutOfStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

IPB090N06N3GATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB090N06N3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPB090N06N3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPB090N06N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB090N06N3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Produsentens standard leveringstid	8 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB090N06N3GATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	50A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	9mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 34µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	36 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2900 pF @ 30 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	71W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO263-3
Kapsling	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer	IPB090

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 18,39000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 22,98750

IPB090N06N3GATMA1