Name: SIUD412ED-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIUD412ED-T1-GE3TR-ND
Price: 5.025 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIUD412ED-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIUD412ED-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SIUD412ED-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SIUD412ED-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIUD412ED-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
Produsentens standard leveringstid	13 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 12 V 500mA (Tc) 1.25W (Ta) Overflatemontering PowerPAK® 0806
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIUD412ED-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	12 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	500mA (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	1,2V, 4,5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	340mOhm ved 500mA, 4.5V
Vgs(th) (maks) ved Id	900mV ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	0.71 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)	±5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	21 pF @ 6 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	1.25W (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® 0806
Kapsling	PowerPAK® 0806
Baseproduktnummer	SIUD412

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 63 781

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)