Name: SI1012CR-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1012CR-T1-GE3TR-ND
Price: 5.85 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI1012CR-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI1012CR-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SI1012CR-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI1012CR-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI1012CR-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 20V SC75A
Produsentens standard leveringstid	38 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Overflatemontering SC-75A
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI1012CR-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 1V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 2 nC @ 8 V
Serie TrenchFET®	Vgs (maks) ±8V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 43 pF @ 10 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 240mW (Ta)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 20 V	Leverandørens enhetsforpakning SC-75A
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 630mA (Ta)	Kapsling SC-75, SOT-416
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 1,5V, 4,5V	Baseproduktnummer SI1012
Rds på (maks) ved Id, Vgs 396mOhm ved 600mA, 4.5V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 59 443

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)

Produsentens standardpakking

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 4,68000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 5,85000

SI1012CR-T1-GE3