Name: SIDR626LEP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR626LEP-T1-RE3TR-ND
Price: 54.9 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SIDR626LEP-T1-RE3
DigiKeys produktnummer	742-SIDR626LEP-T1-RE3TR-ND - Tape og spole (TR) 742-SIDR626LEP-T1-RE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) 742-SIDR626LEP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIDR626LEP-T1-RE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Produsentens standard leveringstid	29 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 48,7A (Ta), 218A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8DC
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	48,7A (Ta), 218A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.5mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	135 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	5900 pF @ 30 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	7,5W (Ta), 150W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® SO-8DC
Kapsling	PowerPAK® SO-8