Name: FQT1N80TF-WS
Brand: onsemi
SKU: FQT1N80TF-WSTR-ND
Price: 19.225 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FQT1N80TF-WS
DigiKeys produktnummer	FQT1N80TF-WSTR-ND - Tape og spole (TR) FQT1N80TF-WSCT-ND - Båndavsnitt (CT) FQT1N80TF-WSDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	onsemi
Produsentens produktnummer	FQT1N80TF-WS
Beskrivelse	MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Produsentens standard leveringstid	8 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 800 V 200mA (Tc) 2,1W (Tc) Overflatemontering SOT-223-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	FQT1N80TF-WS Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	onsemi
Serie	QFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	800 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	200mA (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	20Ohm ved 100mA, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	7.2 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	195 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,1W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	SOT-223-3
Kapsling	TO-261-3
Baseproduktnummer	FQT1N80