Name: G3F18MT12J-TR
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F18MT12J-TR-ND
Price: 355.675 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

G3F18MT12J-TR
DigiKeys produktnummer	1913-G3F18MT12J-TR-ND - Tape og spole (TR) 1913-G3F18MT12J-TRCT-ND - Båndavsnitt (CT) 1913-G3F18MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Navitas Semiconductor, Inc.
Produsentens produktnummer	G3F18MT12J-TR
Beskrivelse	1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Produsentens standard leveringstid	20 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 122A (Tc) 526W (Tc) Overflatemontering TO-263-7
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiC (silisiumkarbidforbindelse-transistor)
Drain til Source-spenning	1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	122A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	25mOhm ved 45A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	4,3V ved 35mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	212 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+22V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4962 pF @ 800 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	526W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	TO-263-7
Kapsling	TO-263-8, D2PAK (7 ledere + plate), TO-263CA