FII50-12E IXYS | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FII50-12E
DigiKeys produktnummer	FII50-12E-ND
Produsent	IXYS
Produsentens produktnummer	FII50-12E
Beskrivelse	IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	IGBT Matrise NPT Halv bro 1200 V 50 A 200 W Gjennomgående hull ISOPLUS i4-PAC™
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer IGBT-er IGBT-matriser
Produsent	IXYS
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
IGBT-type	NPT
Konfigurasjon	Halv bro
Spenning - kollektorsender gjennomslag (maks)	1200 V
Strøm - kollektor (Ic) (maks)	50 A
Effekt - maks	200 W
Vce(på) (maks) ved Vge, Ic	2.6V ved 15V, 30A
Strøm - kollektoravstenging (maks)	400 µA
Inngangskapasitans (Cies) ved Vce	2 nF @ 25 V
Innmatning	Standard
NTC-termistor	Ingen
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Gjennomgående hull
Kapsling	i4-Pac™-5
Leverandørens enhetsforpakning	ISOPLUS i4-PAC™
Baseproduktnummer	FII50