IGBT-er

IGBT-er (Insulated Gate Bipolar Transistors) er flerlags (flerskikts) halvlederenheter med tre terminaler som kan håndtere høye strømmer og har raske vekslingsfunksjoner. De er karakterisert ved type, kollektor-emitter-gjennombruddsspenning, kollektorstrøm, pulserende kollektorstrøm, VCE(PÅ), vekslingsenergi og ladning på styringen (gaten).