IRFHM830TRPBF er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


Infineon Technologies
På lager: 178
Enhetspris : kr 9,45000
Datablad

Similar


Diodes Incorporated
På lager: 0
Enhetspris : kr 5,03977
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 11 782
Enhetspris : kr 18,99642

Similar


Rohm Semiconductor
På lager: 2 283
Enhetspris : kr 12,46000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 111
Enhetspris : kr 15,78000
Datablad
IRFHM830DTR2PBF
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IRFHM830TRPBF

DigiKeys produktnummer
IRFHM830TRPBFTR-ND - Tape og spole (TR)
IRFHM830TRPBFCT-ND - Båndavsnitt (CT)
IRFHM830TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Produsentens produktnummer
IRFHM830TRPBF
Beskrivelse
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2,7W (Ta), 37W (Tc) Overflatemontering 8-PQFN-Dual (3,3x3,3)
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRFHM830TRPBF Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
3.8mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
2.35V ved 50µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2155 pF @ 25 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
2,7W (Ta), 37W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
8-PQFN-Dual (3,3x3,3)
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.