Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 15.575 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

RS1E200GNTB
DigiKeys produktnummer	RS1E200GNTBTR-ND - Tape og spole (TR) RS1E200GNTBCT-ND - Båndavsnitt (CT) RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer	RS1E200GNTB
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Produsentens standard leveringstid	21 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Overflatemontering 8-HSOP
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	RS1E200GNTB Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Rohm Semiconductor
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	20A (Ta), 57A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	4.6mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	16.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1080 pF @ 15 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3W (Ta), 25W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-HSOP
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	RS1E