Name: IQE013N04LM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 54.15 NOK
Availability: OutOfStock

N-kanal 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Overflatemontering PG-WHTFN-9-1

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IQE013N04LM6CGSCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQE013N04LM6CGSCATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQE013N04LM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQE013N04LM6CGSCATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Overflatemontering PG-WHTFN-9-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQE013N04LM6CGSCATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 1.35mOhm ved 20A, 10V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 51µA
Serie OptiMOS™ 6	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 41 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 3800 pF @ 20 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 107W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 40 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 31A (Ta), 205A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-WHTFN-9-1
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Kapsling 9-PowerWDFN