Name: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 50.4 NOK
Availability: InStock

N-kanal 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Overflatemontering PG-WHTFN-9-1

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IQE006NE2LM5CGSCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Overflatemontering PG-WHTFN-9-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 0.58mOhm ved 20A, 10V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 250µA
Serie OptiMOS™ 5	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 82 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±16V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 5453 pF @ 12 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 25 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 47A (Ta), 310A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-WHTFN-9-1
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Kapsling 9-PowerWDFN