Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 46.775 NOK
Availability: OutOfStock

N-kanal 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Overflatemontering PG-TTFN-9-1

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IQE006NE2LM5CGATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT)
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQE006NE2LM5CGATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Overflatemontering PG-TTFN-9-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQE006NE2LM5CGATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 250µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 82.1 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (maks) ±16V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT)	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 5453 pF @ 12 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 25 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TTFN-9-1
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 41A (Ta), 298A (Tc)	Kapsling 8-PowerTDFN
Rds på (maks) ved Id, Vgs 0,65mOhm ved 20A, 10V	Baseproduktnummer IQE006