Name: IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1TR-ND
Price: 42.8 NOK
Availability: InStock

N-kanal 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Overflatemontering PG-WHTFN-9

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IQE004NE1LM7CGSCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQE004NE1LM7CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQE004NE1LM7CGSCATMA1
Beskrivelse	TRENCH <= 40V
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Overflatemontering PG-WHTFN-9
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQE004NE1LM7CGSCATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 0,45mOhm ved 30A, 7V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 2Vved 432µA
Serie OptiMOS™ 7	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 55 nC @ 7 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±7V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 6240 pF @ 7.5 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 15 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 58A (Ta), 379A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-WHTFN-9
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 7V	Kapsling 9-PowerWDFN