Name: IQE046N08LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 62.1 NOK
Availability: OutOfStock

N-kanal 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Overflatemontering PG-WHTFN-9

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IQE046N08LM5CGSCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQE046N08LM5CGSCATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQE046N08LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQE046N08LM5CGSCATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Overflatemontering PG-WHTFN-9
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQE046N08LM5CGSCATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2,3V ved 47µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 38 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 3250 pF @ 40 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 80 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-WHTFN-9
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 15,6A (Ta), 99A (Tc)	Kapsling 9-PowerWDFN
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer IQE046
Rds på (maks) ved Id, Vgs 4.6mOhm ved 20A, 10V