Name: IQE022N06LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE022N06LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 44.475 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IQE022N06LM5CGSCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQE022N06LM5CGSCATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQE022N06LM5CGSCATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQE022N06LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQE022N06LM5CGSCATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Produsentens standard leveringstid	39 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 24A (Ta), 151A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Overflatemontering PG-WHTFN-9
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQE022N06LM5CGSCATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	24A (Ta), 151A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	2.2mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2,3V ved 48µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	53 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4420 pF @ 30 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,5W (Ta), 100W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-WHTFN-9
Kapsling	9-PowerWDFN
Baseproduktnummer	IQE022