Name: BSZ014NE2LS5IFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1TR-ND
Price: 37.275 NOK
Availability: InStock

BSZ014NE2LS5IFATMA1
DigiKeys produktnummer	448-BSZ014NE2LS5IFATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-BSZ014NE2LS5IFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSZ014NE2LS5IFATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 25V 31A/40A TSDSON
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 25 V 31A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Overflatemontering PG-TSDSON-8-FL
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSZ014NE2LS5IFATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	25 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	31A (Ta), 40A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.45mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	33 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2300 pF @ 12 V
FET-egenskap	Schottky-diode (hoveddel)
Effekttap (maks)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TSDSON-8-FL
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	BSZ014

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 29,82000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 37,27500

BSZ014NE2LS5IFATMA1