Name: IQE013N04LM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6CGATMA1TR-ND
Price: 34.275 NOK
Availability: InStock

IQE013N04LM6CGATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQE013N04LM6CGATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQE013N04LM6CGATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQE013N04LM6CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQE013N04LM6CGATMA1
Beskrivelse	40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Overflatemontering PG-TTFN-9-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQE013N04LM6CGATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	40 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.35mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2V ved 51µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	55 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	3900 pF @ 20 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,5W (Ta), 107W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TTFN-9-1
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	IQE013

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
5 000	kr 8,33779	kr 41 688,95
10 000	kr 8,23059	kr 82 305,90

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 27,42000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 34,27500

IQE013N04LM6CGATMA1