Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 56.4875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPT015N10NF2SATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPT015N10NF2SATMA1
Beskrivelse	MOSFET
Produsentens standard leveringstid	17 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Overflatemontering PG-HSOF-8-10
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPT015N10NF2SATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 1.5mOhm ved 150A, 10V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 3,8V ved 267µA
Serie StrongIRFET™ 2	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 242 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 11000 pF @ 50 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 100 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 35A (Ta), 315A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-HSOF-8-10
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 6V, 10V	Kapsling 8-PowerSFN