Name: IPT017N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 88.875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPT017N12NM6ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPT017N12NM6ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPT017N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPT017N12NM6ATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Produsentens standard leveringstid	21 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Overflatemontering PG-HSOF-8
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 3,6V ved 275µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 141 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 11000 pF @ 60 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 3W (Ta), 395W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 120 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-HSOF-8
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 29A (Ta), 331A (Tc)	Kapsling 8-PowerSFN
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 8V, 10V	Baseproduktnummer IPT017
Rds på (maks) ved Id, Vgs 1,7mOhm ved 150A, 10V