Name: IMZA65R050M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R050M2HXKSA1-ND
Price: 102.775 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMZA65R050M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMZA65R050M2HXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMZA65R050M2HXKSA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Produsentens standard leveringstid	23 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 38A (Tc) 153W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-8
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ Gen 2
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	38A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	15V, 20V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	46mOhm ved 18,2A, 20V
Vgs(th) (maks) ved Id	5,6V ved 3,7mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	22 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+23V, -7V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	790 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	153W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO247-4-8
Kapsling	TO-247-4
Baseproduktnummer	IMZA65R050

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 186

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 82,22000	kr 82,22
30	kr 47,96667	kr 1 439,00
120	kr 40,43767	kr 4 852,52
510	kr 36,96639	kr 18 852,86

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.