Name: IMZA65R015M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R015M2HXKSA1-ND
Price: 213.8875 NOK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 103A (Tc) 341W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-8

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMZA65R015M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMZA65R015M2HXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMZA65R015M2HXKSA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 103A (Tc) 341W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-8
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 5,6V ved 13mA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 79 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™ Gen 2	Vgs (maks) +23V, -7V
Emballasje Rør	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 2792 pF @ 400 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 341W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Monteringstype Gjennomgående hull
Drain til Source-spenning 650 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO247-4-8
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 103A (Tc)	Kapsling TO-247-4
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 15V, 20V	Baseproduktnummer IMZA65R015
Rds på (maks) ved Id, Vgs 13,2mOhm ved 64,2A, 20V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 212

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 171,11000	kr 171,11
30	kr 106,05800	kr 3 181,74
120	kr 91,81217	kr 11 017,46
510	kr 86,44059	kr 44 084,70

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.