448~P/PG-TO247-4-17~~4
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
448~P/PG-TO247-4-17~~4
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R022M2HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
IMZC120R022M2HXKSA1
Beskrivelse
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Produsentens standard leveringstid
26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-17
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMZC120R022M2HXKSA1 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
15V, 18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
22mOhm ved 32A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
5,1V ved 10,1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
71 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+23V, -7V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2330 pF @ 800 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
329W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO247-4-17
Kapsling
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 45
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 154,79000kr 154,79
30kr 95,27000kr 2 858,10
120kr 84,38483kr 10 126,18
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 154,79000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 193,48750