N-kanal 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-17
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R022M2HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
IMZC120R022M2HXKSA1
Beskrivelse
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Produsentens standard leveringstid
69 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-17
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMZC120R022M2HXKSA1 Modeller
Produktegenskaper
Filtrer lignende produkter
Vis tomme egenskaper
Kategori
Rds på (maks) ved Id, Vgs
22mOhm ved 32A, 18V
Produsent
Vgs(th) (maks) ved Id
5,1V ved 10,1mA
Serie
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
71 nC @ 18 V
Emballasje
Rør
Vgs (maks)
+23V, -7V
Delestatus
Aktiv
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2330 pF @ 800 V
FET-type
Effekttap (maks)
329W (Tc)
Teknologi
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning
1200 V
Monteringstype
Gjennomgående hull
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO247-4-17
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
15V, 18V
Kapsling
Miljø- og eksportklassifiseringer
Spørsmål og svar om produktet
Ytterligere resurser
På lager: 841
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 188,42000kr 188,42
30kr 116,16467kr 3 484,94
120kr 100,34417kr 12 041,30
510kr 88,76620kr 45 270,76
1 020kr 84,54641kr 86 237,34
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 188,42000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 235,52500