N-kanal 1200 V 28A (Tc) 143W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-17
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 28A (Tc) 143W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R078M2HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMZC120R078M2HXKSA1-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
IMZC120R078M2HXKSA1
Beskrivelse
SICFET N-CH 1200V 28A TO247
Produsentens standard leveringstid
54 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 1200 V 28A (Tc) 143W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-17
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMZC120R078M2HXKSA1 Modeller
Produktegenskaper
Filtrer lignende produkter
Vis tomme egenskaper
Kategori
Rds på (maks) ved Id, Vgs
78mOhm ved 9A, 18V
Produsent
Vgs(th) (maks) ved Id
5,1V ved 2,8mA
Serie
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
21 nC @ 18 V
Emballasje
Rør
Vgs (maks)
+23V, -7V
Delestatus
Aktiv
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
700 pF @ 800 V
FET-type
Effekttap (maks)
143W (Tc)
Teknologi
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning
1200 V
Monteringstype
Gjennomgående hull
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO247-4-17
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
15V, 18V
Kapsling
Miljø- og eksportklassifiseringer
Spørsmål og svar om produktet
Ytterligere resurser
På lager: 0
Kontroller leveringstid
Be om lagervarsel
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 98,60000kr 98,60
30kr 57,50400kr 1 725,12
120kr 48,47525kr 5 817,03
510kr 41,86149kr 21 349,36
1 020kr 39,44975kr 40 238,75
2 010kr 37,46286kr 75 300,35
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 98,60000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 123,25000