Name: IMZC120R026M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
Price: 174.7125 NOK
Availability: InStock

N-kanal 1200 V 69A (Tc) 289W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-17

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMZC120R026M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMZC120R026M2HXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMZC120R026M2HXKSA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 69A TO247
Produsentens standard leveringstid	69 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 69A (Tc) 289W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-17
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMZC120R026M2HXKSA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 25mOhm ved 27A, 18V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 5,1V ved 8,6mA
Serie CoolSiC™ G2	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 60 nC @ 18 V
Emballasje Rør	Vgs (maks) +23V, -7V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1990 pF @ 800 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 289W (Tc)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 1200 V	Monteringstype Gjennomgående hull
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 69A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO247-4-17
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 15V, 18V	Kapsling TO-247-4

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 240

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 139,77000	kr 139,77
30	kr 85,12067	kr 2 553,62
120	kr 73,14133	kr 8 776,96
510	kr 66,57231	kr 33 951,88

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.