
IMT65R050M2HXUMA1 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | 448-IMT65R050M2HXUMA1TR-ND |
Produsent | |
Produsentens produktnummer | IMT65R050M2HXUMA1 |
Beskrivelse | SILICON CARBIDE MOSFET |
Produsentens standard leveringstid | 23 Uker |
Kundereferanse | |
Detaljert beskrivelse | N-kanal 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Overflatemontering PG-HSOF-8-2 |
Datablad | Datablad |
Type | Beskrivelse | Velg alle |
|---|---|---|
Kategori | ||
Produsent | ||
Serie | ||
Emballasje | Rør | |
Delestatus | Aktiv | |
FET-type | ||
Teknologi | ||
Drain til Source-spenning | 650 V | |
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C | ||
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) | 15V, 20V | |
Rds på (maks) ved Id, Vgs | 46mOhm ved 18,2A, 20V | |
Vgs(th) (maks) ved Id | 5,6V ved 3,7mA | |
Vgs Gate-lading (Qg) (maks) | 22 nC @ 18 V | |
Vgs (maks) | +23V, -7V | |
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds | 790 pF @ 400 V | |
FET-egenskap | - | |
Effekttap (maks) | 237W (Tc) | |
Driftstemperatur | -55°C – 175°C (TJ) | |
Grad | - | |
Godkjenning | - | |
Monteringstype | Overflatemontering | |
Leverandørens enhetsforpakning | PG-HSOF-8-2 | |
Kapsling |
| Antall | Enhetspris | Utvidet pris |
|---|---|---|
| 2 000 | kr 28,67927 | kr 57 358,54 |
| Enhetspris uten merverdiavgift: | kr 28,67927 |
|---|---|
| Enhetspris med merverdiavgift: | kr 35,84909 |






