Name: IMT65R040M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R040M2HXUMA1TR-ND
Price: 115.8875 NOK
Availability: OutOfStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMT65R040M2HXUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMT65R040M2HXUMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMT65R040M2HXUMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMT65R040M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMT65R040M2HXUMA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 58,7A (Tc) 277W (Tc) Overflatemontering PG-HSOF-8-2
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 36mOhm ved 22,9A, 20V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 5,6V ved 4,6mA
Serie CoolSiC™	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 28 nC @ 18 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) +23V, -7V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 997 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 277W (Tc)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 650 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 58,7A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-HSOF-8-2
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 15V, 20V	Kapsling 8-PowerSFN