SiC-likerettere

STMicroelectronics silisiumkarbidstrukturerte Schottky-dioder utfører svitsjing som gjør det mulig for utviklere å nå et høyere nivå av effektivitet og effekttetthet. SiC-diodefamiliene på 650 V og 1200 V fra ST har et strømforbruk som varierer fra 2 A til 40 A, og omfatter AEC-Q101-enheter tilpasset for industrielle og automotive formål i overflatemonterte pakker som DPAK HV (høyspenning) og D²PAK eller gjennomhulls TO-220AC og TO-247LL (lang ledning).

STs utvalg av 1200 V silisiumkarbid (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky)-dioder oppfyller utvikleres behov for overlegen effektivitet, lav vekt, liten størrelse og forbedrede termiske egenskaper for bruksområder som krever høy ytelse.

STs 1200 V SiC-dioder leverer utmerket diodespenning (lav V_F) med den mest avanserte robustheten, og de gir friheten som skal til for å oppnå høy effektivitet og pålitelighet med lavere strømforbruk, noe som resulterer i lavere kostnader, redusert driftstemperatur og forlenget levetid på konstruksjonen. De sikrer perfekt passform i alle ikke-lineære omformere og strømrettere hvor ekstrem effekttetthet og effektivitet er nødvendig, for eksempel SMPS, UPS, solenergi og motordrift.

SiC-diodefamilien på 1200 V fra ST har et strømforbruk som varierer fra 2 A til 40 A, og omfatter AEC-Q101-enheter tilpasset for industrielle og automotive formål i overflatemonterte pakker som DPAK HV (høyspenning) og D²PAK eller gjennomhulls TO-220AC og TO-247LL (lang-ledning).

STs 1200 V SiC gjør det mulig å oppnå høye standarder og liten formfaktor.