VideoLibrary

Paralleling GaN FETs

Paralleling GaN FETs from Nexperia.

4/14/2025 7:28:33 PM

Part List

BildeManufacturer Part NumberBeskrivelseTilgjengelig antall PrisVis detaljer
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$109.68Vis detaljer
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247199 - Immediate$133.25Vis detaljer
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247314 - Immediate$106.23Vis detaljer
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS611 - Immediate$135.35Vis detaljer
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immediate$135.35Vis detaljer

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Nexperia cascode GaN FETs
Nexperia cascode GaN FETs

Publish Date: 2025-04-07

Related Product Highlight

Cascode GaN FETs Nexperia cascode GaN FETs have high power density, performance, and switching frequency for power system applications such as Industry 4.0 and renewable energy.
GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Halvledere med bred båndavstand øker effektiviteten i datasentre Siden datasentre har store energibehov, er det nødvendig med strømløsninger som kan redusere strømtap, øke virkningsgrad og forbedre termisk styring.
Halvledere med bred båndavstand forvandler transportverdenen Hele transportsektoren gjennomgår en radikal transformasjon med løsninger for el- og hybridbiler og renere massetransport.
Slik bruker du GaN-felteffekttransistorer for effektive ikke-lineære strømkonstruksjoner med høyere spenning Forbedre strømvirkningsgrad og strømtetthet i ikke-lineære strømsystemer med høyere spenning ved å forstå prinsippene og riktig anvendelse av GaN-FET-er.