GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | Enkle FET-er, MOSFET-er

GAN063-650WSAQ er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

Nexperia USA Inc.

På lager: 175

Enhetspris : kr 139,30000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

GAN063-650WSAQ
DigiKeys produktnummer	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Produsent	Nexperia USA Inc.
Produsentens produktnummer	GAN063-650WSAQ
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 34,5A (Tc) 143W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	GAN063-650WSAQ Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4.5V ved 1mA
Produsent Nexperia USA Inc.	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 15 nC @ 10 V
Emballasje Rør	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Utdatert	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1000 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 143W (Tc)
Teknologi GaNFET (kaskode gallium-nitrid FET)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 650 V	Monteringstype Gjennomgående hull
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 34,5A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning TO-247-3
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling TO-247-3
Rds på (maks) ved Id, Vgs 60mOhm ved 25A, 10V	Baseproduktnummer GAN063