Nexperia

Cascode GaN FETs

Nexperia GaN FETs offer performance, efficiency, and reliability of power systems

Image of Nexperia’s Cascode GaN FETsNexperia cascode GaN FETs offer high power density, performance, and switching frequency. The very high electron mobility of GaN enables the creation of devices with low on-resistance and exceptionally high switching frequency capability, which are vital in next-generation power systems, such as Industry 4.0 and renewable energy applications. The unique cascode GaN FET solution facilitates easy driving of devices using well-known Si MOSFET gate drivers. They deliver unmatched high junction temperature [Tj (max) = +175°C], design freedom, and improved reliability of power systems.

Cascode GaN FETs

BildeManufacturer Part NumberBeskrivelseTilgjengelig antall PrisVis detaljer
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247175 - Immediate$139.30Vis detaljer
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$107.12Vis detaljer
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (817 - Immediate$141.45Vis detaljer
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-247309 - Immediate$110.95Vis detaljer
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NTBZ650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (0 - Immediate$111.33Vis detaljer
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS576 - Immediate$141.45Vis detaljer
Published: 2024-09-04

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publish Date: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publish Date: 2025-04-14

Paralleling GaN FETs
Paralleling GaN FETs

Publish Date: 2025-04-14

Related Product Highlight

GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Halvledere med bred båndavstand øker effektiviteten i datasentre Siden datasentre har store energibehov, er det nødvendig med strømløsninger som kan redusere strømtap, øke virkningsgrad og forbedre termisk styring.
Halvledere med bred båndavstand forvandler transportverdenen Hele transportsektoren gjennomgår en radikal transformasjon med løsninger for el- og hybridbiler og renere massetransport.
Slik bruker du GaN-felteffekttransistorer for effektive ikke-lineære strømkonstruksjoner med høyere spenning Forbedre strømvirkningsgrad og strømtetthet i ikke-lineære strømsystemer med høyere spenning ved å forstå prinsippene og riktig anvendelse av GaN-FET-er.
Vilkår og betingelser Personvernerklæring Innstillinger for informasjonskapsler (cookies)
Copyright © 1995-2026, DigiKey. Med enerett.
ECIA Member
This site is protected by VikingCloud's Trusted Commerce program
ECIA Member