SQ2309ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SQ2309ES-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQ2309ES-T1_GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SQ2309ES-T1_GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT)
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SQ2309ES-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 60 V 1,7A (Tc) 2W (Tc) Overflatemontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT)
Delestatus	Utdatert
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	1,7A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	336mOhm ved 3.8A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	8.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	265 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	SOT-23-3 (TO-236)
Kapsling	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Baseproduktnummer	SQ2309