Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 82.675 NOK
Availability: InStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

SIJK5100E-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIJK5100E-T1-GE3
Beskrivelse	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Produsentens standard leveringstid	13 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Overflatemontering PowerPAK®10 x 12
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIJK5100E-T1-GE3 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	74A (Ta), 417A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	7,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.4mOhm ved 80A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	200 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	11480 pF @ 50 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	17W (Ta), 536W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK®10 x 12
Kapsling	8-PowerBSFN

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 66,14000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 82,67500

SIJK5100E-T1-GE3