SI7478DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete halvlederprodukter

SI7478DP-T1-GE3 er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

Vishay Siliconix

På lager: 3 602

Enhetspris : kr 20,91000

Similar

Texas Instruments

På lager: 0

Enhetspris : kr 16,89000

Similar

Texas Instruments

På lager: 3

Enhetspris : kr 24,12000

Similar

Texas Instruments

På lager: 9 986

Enhetspris : kr 23,42000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI7478DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI7478DP-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI7478DP-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 15A (Ta) 1,9W (Ta) Overflatemontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR)
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	15A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	7.5mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	160 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	1,9W (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® SO-8
Kapsling	PowerPAK® SO-8
Baseproduktnummer	SI7478