Name: SI7172DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7172DP-T1-GE3TR-ND
Price: 44.225 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI7172DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI7172DP-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SI7172DP-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI7172DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SI7172DP-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Produsentens standard leveringstid	20 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 200 V 25A (Tc) 5,4W (Ta), 96W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI7172DP-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	25A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	70mOhm ved 5.9A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	77 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2250 pF @ 100 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	5,4W (Ta), 96W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® SO-8
Kapsling	PowerPAK® SO-8
Baseproduktnummer	SI7172