Name: SSM3J66MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J66MFV,L3FTR-ND
Price: 4.15 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SSM3J66MFV,L3F
DigiKeys produktnummer	264-SSM3J66MFV,L3FTR-ND - Tape og spole (TR) 264-SSM3J66MFV,L3FCT-ND - Båndavsnitt (CT) 264-SSM3J66MFV,L3FDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	SSM3J66MFV,L3F
Beskrivelse	MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Produsentens standard leveringstid	12 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Overflatemontering VESM
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SSM3J66MFV,L3F Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	20 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	800mA (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	1,2V, 4,5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	390mOhm ved 800mA, 4.5V
Vgs(th) (maks) ved Id	1V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)	+6V, -8V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	100 pF @ 10 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	150mW (Ta)
Driftstemperatur	150°C
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	VESM
Kapsling	SOT-723
Baseproduktnummer	SSM3J66

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 7 136

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)