SCT2120AFC er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar


Rohm Semiconductor
På lager: 1 253
Enhetspris : kr 55,16000
Datablad

Similar


Rohm Semiconductor
På lager: 1 684
Enhetspris : kr 234,20000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 790
Enhetspris : kr 64,55000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 569
Enhetspris : kr 48,57000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 9 801
Enhetspris : kr 24,56000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 298
Enhetspris : kr 54,26000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 4 978
Enhetspris : kr 57,51000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 76
Enhetspris : kr 53,00000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 255
Enhetspris : kr 61,21000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 44,51000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 49,84000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 349
Enhetspris : kr 43,07000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 260
Enhetspris : kr 68,26000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
På lager: 23
Enhetspris : kr 43,16000
Datablad
N-kanal 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Gjennomgående hull TO-220AB
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Gjennomgående hull TO-220AB
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2120AFC

DigiKeys produktnummer
SCT2120AFC-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
SCT2120AFC
Beskrivelse
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Gjennomgående hull TO-220AB
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
156mOhm ved 10A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 3.3mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
61 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+22V, -6V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
1200 pF @ 500 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
165W (Tc)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-220AB
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.