Name: IQD009N06NM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5CGATMA1TR-ND
Price: 50.5125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IQD009N06NM5CGATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQD009N06NM5CGATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQD009N06NM5CGATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQD009N06NM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQD009N06NM5CGATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Produsentens standard leveringstid	21 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Overflatemontering PG-TTFN-9-U02
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQD009N06NM5CGATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	42A (Ta), 445A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	0.9mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3,3V ved 163µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	150 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	12000 pF @ 30 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3W (Ta), 333W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TTFN-9-U02
Kapsling	9-PowerTDFN
Baseproduktnummer	IQD009

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 2 535

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®