Name: IQD009N06NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 70.7375 NOK
Availability: OutOfStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IQD009N06NM5CGSCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQD009N06NM5CGSCATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Produsentens standard leveringstid	52 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Overflatemontering PG-WHTFN-9-U02
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQD009N06NM5CGSCATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	42A (Ta), 445A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	0.9mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3,3V ved 163µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	150 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	12000 pF @ 30 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3W (Ta), 333W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-WHTFN-9-U02
Kapsling	9-PowerWDFN