Name: IPD30N12S3L31ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD30N12S3L31ATMA1TR-ND
Price: 21.4875 NOK
Availability: InStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

IPD30N12S3L31ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPD30N12S3L31ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPD30N12S3L31ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPD30N12S3L31ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPD30N12S3L31ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CHANNEL_100+
Produsentens standard leveringstid	9 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 120 V 30A (Tc) 57W Overflatemontering PG-TO252-3-11
Datablad	Datablad

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ T
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	120 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	30A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	31mOhm ved 30A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.4V ved 29µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	24 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1970 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	57W
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO252-3-11
Kapsling	TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Baseproduktnummer	IPD30N12

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 17,19000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 21,48750

IPD30N12S3L31ATMA1